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硅衬底+UVLED,天生一对?

时间:2024-10-09    来源:18新利app    人气:

本文摘要:对于UVLED的功率问题,硅衬底也许可以获取一种解决问题思路。 据传,晶能光电很早以前之后开始布局UVLED市场。早在2015年上半年,晶能光电之后发售了380-410nm低光效UVALED产品,且Si衬底高效大功率紫外LED灯珠一度引起业界注目。 Si衬底高效大功率紫外LED灯珠使用了具备自律知识产权的硅衬底LED外延技术,具备横向电极结构,热电分离出来,同时使用了陶瓷封装技术,产品可靠性更高、风扇性能更佳,具备更佳的大电流工作性能。

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对于UVLED的功率问题,硅衬底也许可以获取一种解决问题思路。  据传,晶能光电很早以前之后开始布局UVLED市场。早在2015年上半年,晶能光电之后发售了380-410nm低光效UVALED产品,且Si衬底高效大功率紫外LED灯珠一度引起业界注目。  Si衬底高效大功率紫外LED灯珠使用了具备自律知识产权的硅衬底LED外延技术,具备横向电极结构,热电分离出来,同时使用了陶瓷封装技术,产品可靠性更高、风扇性能更佳,具备更佳的大电流工作性能。

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  从第三方测试结果来看,Si衬底高效大功率紫外LED灯珠展现出出有出色的性能指标,半导体灯光牵头创意国家重点实验室测试结果显示峰值外量子效率超过了67%,亮度超过700mW@350mA,1000mW@500mA,闪烁效率和蓝光LED芯片非常,同时Droop相比之下高于蓝光LED芯片,性能超过国际一流水平。  以下是LPIUG45A产品参数。


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